接觸電阻測(cè)試的典型方法

接觸電阻測(cè)試的典型方法

　　四線（開(kāi)爾文）直流電壓降是微歐表用于接觸電阻測(cè)試的典型方法，通過(guò)消除自身的接觸電阻和測(cè)試引線的電阻來(lái)確保更準(zhǔn)確的測(cè)量。

　　接觸電阻測(cè)試使用兩個(gè)電流連接進(jìn)行注入，使用兩個(gè)電位引線進(jìn)行電壓降測(cè)量；電壓電纜必須盡可能靠近要測(cè)試的連接，并且始終位于連接的電流引線形成的電路內(nèi)。

　　根據(jù)電壓降的測(cè)量，微處理器控制的微歐表計(jì)算接觸電阻，同時(shí)消除連接中的熱 EMF 效應(yīng)可能產(chǎn)生的誤差（熱 EMF 是兩種不同金屬連接在一起時(shí)產(chǎn)生的小熱電偶電壓）它們將被添加到測(cè)量的總電壓降中，如果不通過(guò)不同的方法（極性反轉(zhuǎn)和平均，直接測(cè)量熱 EMF 幅度等）從測(cè)量中減去它們，則會(huì)在接觸電阻測(cè)試中引入誤差。

　　如果在使用低電流測(cè)試斷路器接觸電阻時(shí)獲得低電阻讀數(shù)，則建議在更高電流下重新測(cè)試觸點(diǎn)。為什么我們會(huì)受益于使用更高的電流？較高的電流將能夠克服端子上的連接問(wèn)題和氧化，在這些條件下，較低的電流可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的（較高的）讀數(shù)。

　　在接觸電阻測(cè)試中保持一致的測(cè)量條件非常重要，以便能夠與之前和未來(lái)的結(jié)果進(jìn)行比較以進(jìn)行趨勢(shì)分析。因此，在進(jìn)行定期測(cè)量時(shí)，必須在相同的位置、使用相同的測(cè)試引線（始終使用制造商提供的校準(zhǔn)電纜）和相同的條件下進(jìn)行接觸電阻測(cè)試，以便能夠知道何時(shí)連接、連接、焊接或設(shè)備將變得不安全。

　　結(jié)論

　　熱導(dǎo)率的測(cè)量也受到接觸電阻的影響，在通過(guò)顆粒介質(zhì)的熱傳輸中具有特別重要的意義。類似地，當(dāng)流體從一個(gè)通道過(guò)渡到另一個(gè)通道時(shí)，靜水壓力（類似于電壓）會(huì)下降。

　　接觸電阻測(cè)試提供有關(guān)接觸的健康程度及其處理額定電流的能力的信息。

　　最大接觸電阻應(yīng)根據(jù)制造商的規(guī)格進(jìn)行驗(yàn)證。不應(yīng)超過(guò)額定電流，建議在額定電流的 10% 下進(jìn)行測(cè)試。